電子元件規格單位讀法 — 規格書中的μF·nF·pF、mA·μA、mΩ·kΩ、MHz·ppm、℃/W、mil總整理
圖片說明：在電子零件行的櫃檯，客人用手指指著規格書上的 Isat 字樣問：「這個怎麼念？」繫著紅色圍裙的女店員笑著回答：「I-sat！是飽和電流喔。」
半導體·電子元件的規格書和報價單上，會不斷出現像 100nF · 4.7μF · 10kΩ · 20mΩ · 16.000MHz · ±20ppm · 62.5℃/W 這樣帶單位的規格值。這些單位在電機·電子領域都很常用，但在元件規格中，常用的大小、符號和縮寫方式都有固定習慣，第一次看到很容易搞混。
規格單位由 前面的字首（大小） + 單位符號（量的是什麼） 兩部分組成，只要懂這兩部分，第一次看到的數值也能讀懂。本文彙整了目前為止半導體資料庫「解讀」系列文章和「今日元件」中出現過的所有單位，並整理了元件規格中常見卻容易搞混的單位與符號。
每張表中 「讀法」欄的粗體字 就是 實際念出來的方式。單位用中文名稱來讀（毫伏·微法拉），Isat · VRRM · RDS(on) 這類由英文字母拼成的符號，則 逐字以英文字母 來念（I-sat · V-R-R-M · R-DS-on）。「/」英文念作 per，意思是「每」。括號內是業界常用的簡稱。
1. 字首 — p · n · μ · m · k · M · G
2. 電壓 — V · mV · kV
3. 電流 — A · mA · μA · nA
4. 電阻 — Ω · mΩ · kΩ · MΩ
5. 電容量 — pF · nF · μF
6. 電感量 — nH · μH · mH
7. 頻率 — Hz · kHz · MHz · GHz
8. 功率 — mW · W
9. 溫度 — ℃ · ℃/W
10. 時間 — ns · μs · ms
11. 比率·精度 — % · ppm · dB
12. 長度·尺寸 — mm · mil · inch · 腳距
13. 記憶體·通訊 — bit · Byte · Kbit · bps
14. IC 規格書中的「○/○」單位 — %/V · μV/℃ · V/μs · nV/√Hz
15. 微控制器·ADC 單位 — DMIPS · μA/MHz · Msps · LSB
16. 其他常見單位
17. 代替單位的字母 — 4R7 · 2K2 · 103
18. 單位一覽表
1. 字首 — p · n · μ · m · k · M · G
| 字首 | 讀法 | 倍數 | 例 |
|---|---|---|---|
| p | 皮（pico） | 0.000000000001 (10⁻¹²) | 22pF |
| n | 奈（nano） | 0.000000001 (10⁻⁹) | 100nF · 35ns |
| μ (u) | 微（micro，也寫作 u） | 0.000001 (10⁻⁶) | 4.7μF · 5μA |
| m | 毫（milli） | 0.001 (10⁻³) | 200mA · 20mΩ |
| （無） | — | 1 | 5V · 1A |
| k | 千（kilo） | 1,000 (10³) | 10kΩ · 65kHz |
| M | 百萬（mega） | 1,000,000 (10⁶) | 1MΩ · 16MHz |
| G | 十億（giga） | 1,000,000,000 (10⁹) | 2.4GHz |
μ（微） 用鍵盤不好打，所以在規格書·報價單·庫存 Excel 中常寫成 u。uF = μF、uA = μA、uH = μH 這樣讀就可以了。很舊的資料中也有用 mfd · mF 表示 μF 的情況，電容請依數值大小來判斷。
最常讀錯的是 m（毫）和 M（百萬）。小寫 m 是千分之一，大寫 M 是百萬倍，所以 20mΩ（0.02Ω，FET 的導通電阻）和 20MΩ（兩千萬Ω）相差十億倍。請務必分清大小寫。
2. 電壓 — V · mV · kV
| 標示 | 讀法 | 規格書中常見的地方 |
|---|---|---|
| V | 伏特 | VCC · VDD（電源）、VIN（輸入）、VOUT（輸出）— 例：5V 穩壓器 |
| mV | 毫伏 (0.001V) | 電壓差·雜訊 — 例：二極體 VF 差異、輸出漣波 20mV |
| kV | 千伏 (1000V) | 耐靜電（ESD）— 例：±8kV（接觸放電） |
| VRRM | V-R-R-M 重複峰值反向電壓 | 二極體 — 1N4007 為 1000V |
| VF | V-F 順向電壓 | 二極體·LED 導通時的電壓 — 例：0.5V（蕭特基）、1.1V（一般） |
| VDS · VCEO | V-DS · V-CEO FET·電晶體耐壓 | FET 為 VDS，BJT 為 VCEO — 例：2N3904 40V |
| VDC · VAC | V-DC · V-AC 直流 · 交流 | 電容·保險絲額定值 — 例：50VDC |
| Vrms · Vp-p | V-RMS · V-PP（peak to peak，峰對峰） 有效值 · 從波峰到波谷 | 交流·雜訊大小 — 同一訊號 Vp-p 較大 |
元件的 最大電壓（Absolute maximum） 是超過就會損壞的值，建議工作電壓（Recommended operating） 則是實際使用的範圍。電容通常選擇比使用電壓更有餘裕的額定值（例：5V電路用16V·25V）。電容的電壓標示整理在電解·鉭電容標示讀法，
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=88，二極體電壓則整理在二極體料號解讀。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=58
3. 電流 — A · mA · μA · nA
| 標示 | 讀法 | 規格書中常見的地方 |
|---|---|---|
| A | 安培（簡稱「安」） | 二極體·FET·穩壓器可流過的電流 — 例：1A、3A |
| mA | 毫安培（毫安） (0.001A) | 小型元件·LED·訊號 — 例：2N3904 IC 200mA、LED 20mA |
| μA | 微安培（微安） (0.000001A) | 待機電流·漏電 — 例：穩壓器待機電流 5μA |
| nA | 奈安培 | 非常小的漏電·輸入電流 — 運算放大器（OP Amp）輸入電流等 |
| IF(AV) | I-F-AV（I-F average） 平均順向電流 | 二極體可持續流過的電流 — 例：SS34 3A |
| IFSM | I-F-SM 瞬間突波電流 | 通電瞬間可承受一次的大電流 — 例：1N4007 30A |
| ID · IC | I-D · I-C FET 汲極電流 · BJT 集極電流 | 元件可流過的最大電流 |
| IQ · ICC | I-Q · I-CC 待機（消耗）電流 | 元件本身消耗的電流 — 對電池產品很重要 |
| IR | I-R 反向漏電流 | 二極體截止時漏出的電流 — 通常為 μA |
電流額定值 會隨溫度降低。規格書上的 3A 大多是在 25℃ 或特定電路板條件下的值，在高溫環境下要讓電流更小。詳細例子請參考 FET(MOSFET)料號解讀中的 ID 說明。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=56
4. 電阻 — Ω · mΩ · kΩ · MΩ
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| Ω | 歐姆 | 100Ω · 470Ω |
| mΩ | 毫歐 (0.001Ω) | FET 導通電阻 RDS(on) 20mΩ、電流偵測電阻 10mΩ |
| kΩ | 千歐姆（簡稱 K） (1000Ω) | 10kΩ(103) · 4.7kΩ(472) |
| MΩ | 百萬歐姆（簡稱 meg） (1,000,000Ω) | 1MΩ(105) — 絕緣電阻可達 GΩ |
| RDS(on) | R-DS-on FET 導通電阻 | 越小發熱越少 — mΩ 等級 |
| ESR | E-S-R 等效串聯電阻 | 電容內部的電阻 — 越小越好，mΩ~Ω |
| Ω/sq | ohm per square（歐姆每方塊） 片電阻 | 薄膜的電阻 — 偶爾見於電路板·感測器資料 |
Ω 符號不好打，所以也會寫成 ohm · R（10K、10kohm、10KR 都是 10kΩ）。SMD 電阻上的數字（103 · 4R7 · 01C）如何換算成 Ω，請見 SMD電阻代碼讀法。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=57
5. 電容量 — pF · nF · μF
| pF | nF | μF | 數字代碼 |
|---|---|---|---|
| 10pF | 0.01nF | 0.00001μF | 100 |
| 100pF | 0.1nF | 0.0001μF | 101 |
| 1,000pF | 1nF | 0.001μF | 102 |
| 10,000pF | 10nF | 0.01μF | 103 |
| 100,000pF | 100nF | 0.1μF | 104 |
| 1,000,000pF | 1,000nF | 1μF | 105 |
| 10,000,000pF | 10,000nF | 10μF | 106 |
同一顆電容，不同公司·不同人會寫成 100nF、0.1μF、0.1uF、104，搜尋庫存時很容易漏掉。這些全都是同一個值。MLCC 料號中的容量代碼整理在 MLCC料號解讀，
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=48，電解·鉭電容的 107·227 標示整理在電解·鉭電容標示讀法。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=88
電容料號結尾的 J · K · M 不是單位，而是 誤差（J ±5%、K ±10%、M ±20%）。這裡的 M 不是百萬（mega），別搞混了。
圖片說明：櫃檯上的報價單寫著 100nF · 0.1uF · 104 三行。客人問：「這三個都不一樣嗎？」女店員伸出三根手指回答：「全都是同一個值！」旁邊放著電容捲盤。
6. 電感量 — nH · μH · mH
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| nH | 奈亨利 | 高頻·RF 電感 — 2.2nH · 10nH |
| μH | 微亨利 | 電源（DC-DC）電感 — 4.7μH · 10μH · 22μH |
| mH | 毫亨利 | 濾波·扼流線圈 — 1mH |
| Isat · Irms | I-sat · I-RMS 飽和電流 · 溫升額定電流 | 電感可流過的電流 — 以兩者中較小的值為限 |
| DCR | D-C-R 直流電阻 | 電感線圈的電阻 — mΩ |
電感也和電阻一樣使用數字代碼。單位以 μH 為基準，所以 100 = 10μH、4R7 = 4.7μH、101 = 100μH（RF 用的小型電感有時以 nH 為基準，請確認規格書）。
7. 頻率 — Hz · kHz · MHz · GHz
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| Hz | 赫茲（每秒幾次） | 市電 50Hz · 60Hz |
| kHz | 千赫 (1000Hz) | 時鐘石英晶體 32.768kHz、DC-DC 切換頻率 150kHz |
| MHz | 兆赫（簡稱 M） (1,000,000Hz) | 石英晶體 8MHz · 16.000MHz、STM32 72MHz |
| GHz | 吉赫（GHz） | Wi-Fi·藍牙 2.4GHz |
| MHz 後的小數點 | 十六點零零零兆赫（16.000 mega-hertz） 精確寫出的值 | 16.000MHz = 16MHz — 小數點以下表示精度 |
石英晶體的 16MHz、16.000MHz、16M 都是同一個頻率。石英晶體的頻率誤差（ppm）·負載電容（CL）請見石英晶體·振盪器標示讀法。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=90
8. 功率 — mW · W
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| W | 瓦特（電壓 × 電流） | TO-220 穩壓器、電源元件 |
| mW | 毫瓦 (0.001W) | 小型電晶體 PD 625mW、0603 電阻 100mW |
| PD · Ptot | P-D · P-total 最大消耗功率 | 元件在散熱上能承受的功率 — 溫度升高就會降低 |
| 1/4W · 1/8W | 四分之一瓦（quarter watt）· 八分之一瓦 電阻額定功率 | 1/4W = 0.25W = 250mW |
功率是 電壓 × 電流。在 5V 下流過 0.1A 就是 0.5W。電阻也可以用 電流² × 電阻 來計算。剛好用到額定功率會發燙，所以通常留一半左右的餘裕。
9. 溫度 — ℃ · ℃/W
| 標示 | 讀法 | 意思 |
|---|---|---|
| ℃ | 度（攝氏度） 攝氏 | 像 −40~85℃（工業級）、0~70℃（商業級）、−40~125℃（車用級）這樣的工作溫度範圍 |
| TA | T-A 環境溫度 | 元件外部的空氣溫度 |
| TJ | T-J 接面溫度 | 晶片內部的實際溫度 — 最大通常為 125℃·150℃ |
| TSTG | T-STG 儲存溫度 | 不使用、存放時可承受的溫度 |
| ℃/W · K/W | 度每瓦 · K每瓦 熱阻 | 消耗 1W 時上升幾 ℃ — 越小散熱越好 |
| RθJA · RθJC | R-theta-JA · R-theta-JC 接面→空氣 · 接面→外殼熱阻 | 例：62.5℃/W 表示消耗 1W 時上升 62.5℃ |
| K | 克耳文 | 講溫度「差」時 1K = 1℃ 的差 |
可以用熱阻大略計算溫度。例如 RθJA 為 62.5℃/W 的元件消耗 0.8W 時，會上升 0.8 × 62.5 = 50℃，若環境為 40℃，晶片約為 90℃。STM32 料號結尾的溫度數字（6 · 7 · 3）請參考 STM32料號解讀。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=87
10. 時間 — ns · μs · ms
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| ns | 奈秒（nanosecond）（十億分之一秒） | 二極體反向恢復時間 trr 35ns、邏輯 IC 延遲 tpd 10ns |
| μs | 微秒（百萬分之一秒） | 一般二極體 trr 2μs、重置脈衝寬度 |
| ms | 毫秒（millisecond）（千分之一秒） | 電源開啟時間·突波測試 8.3ms |
| s | 秒（second） | 計時器·延遲 |
| trr | t-R-R 反向恢復時間 | 越快的二極體越短（FR·UF·蕭特基） |
| tr · tf | t-R · t-F 上升 · 下降時間 | 訊號變化的速度 |
| tpd | t-PD 傳輸延遲 | 從輸入改變到輸出改變為止 |
二極體料號中的 FR(Fast)·UF(Ultra fast) 表示這個 trr 很短。可以接著看二極體料號解讀。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=58
11. 比率·精度 — % · ppm · dB
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| % | 百分比（百分之一） | 電阻誤差 ±1%(F) · ±5%(J)、電容 ±10%(K) |
| ppm | P-P-M（百萬分之一） | 石英晶體誤差 ±20ppm = ±0.002%，在 16MHz 時為 ±320Hz |
| ppm/℃ | ppm 每度 溫度係數 | 溫度每變化 1℃ 時數值變化的程度 — 電阻 ±100ppm/℃ |
| dB | 分貝（dB）（以對數表示比率） | 放大·衰減 — +20dB 為電壓 10 倍，−3dB 約為 70% |
| dBm | dBm（D-B-M） 以 1mW 為基準的分貝 | 無線輸出 — 0dBm = 1mW、20dBm = 100mW |
| X7R · C0G | X-seven-R · C-zero-G 溫度特性代碼 | MLCC 容量隨溫度變化的等級 — 不是單位而是等級 |
1% = 10,000ppm 。像石英晶體這樣非常精密的元件，會用 ppm 代替 % 標示。MLCC 的 X7R · X5R · C0G 看起來像單位，其實是溫度特性等級 — 請參考 MLCC料號解讀。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=48
12. 長度·尺寸 — mm · mil · inch · 腳距
| 英制代碼 | 公制代碼 | 實際尺寸（mm） |
|---|---|---|
| 0201 | 0603 | 0.6 × 0.3 |
| 0402 | 1005 | 1.0 × 0.5 |
| 0603 | 1608 | 1.6 × 0.8 |
| 0805 | 2012 | 2.0 × 1.25 |
| 1206 | 3216 | 3.2 × 1.6 |
| 1210 | 3225 | 3.2 × 2.5 |
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| mm | 毫米（mm） | 封裝尺寸·接腳間距 — SOT-23 2.9 × 1.3mm |
| mil | mil（密爾）（千分之一英寸 = 0.0254mm） | 電路板線寬·舊資料 — 100mil = 2.54mm |
| inch (in, ") | 英寸 = 25.4mm | 捲盤直徑 7英寸 · 13英寸 |
| 腳距（pitch） | 腳距（pitch） 接腳之間的間距 | 2.54mm(DIP), 1.27mm(SOIC), 0.5mm(QFN·LQFP) |
| μm | 微米（micron） (0.001mm) | 電鍍厚度等 |
SMD 尺寸代碼混用了 美制（英寸） 和 日本·韓國製造商的方式（公制），只看「0603」無法判斷是哪一種。MLCC 料號中的尺寸字元，很多公司採用由公制尺寸而來的兩位數代碼（三星電機 CL10 · 村田 GRM18 = 公制 1608 = 英制 0603），而通路庫存表則常用英制代碼。實際尺寸可在元件封裝名稱總整理中用圖比較。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=59
13. 記憶體·通訊 — bit · Byte · Kbit · bps
| 標示 | 讀法 | 例 |
|---|---|---|
| bit (b) | 位元（bit） — 一個 0 或 1 | 記憶體 IC 大多以 bit 標示 |
| Byte (B) | 位元組 = 8bit | 微控制器的 Flash·RAM 以 Byte 標示 |
| Kbit · Kb | 千位元（K bit） (1024bit) | EEPROM 24C02 = 2Kbit = 256Byte |
| KB | 千位元組（K byte） (1024Byte) | STM32F103C8 Flash 64KB |
| Mbit · MB | 百萬位元 · 百萬位元組 | SPI Flash W25Q64 = 64Mbit = 8MB |
| bps · Mbps | B-P-S · M-B-P-S 每秒傳送的位元數 | UART 115200bps, CAN 1Mbps, USB 12Mbps |
| baud | 鮑（baud） 鮑率（每秒訊號變化次數） | 在 UART 中與 bps 同義 |
小寫 b 是位元，大寫 B 是位元組。記憶體 IC 料號中的數字大多是 位元，所以 64Mbit 晶片是 8MB。微控制器的 Flash 則以位元組標示 — 請參考 STM32料號解讀中的 Flash 字元表。
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=87
14. IC 規格書中的「○/○」單位 — %/V · μV/℃ · V/μs · nV/√Hz
IC 規格書中有很多以 /（斜線） 連接兩個單位的單位。/ 讀作「每」 即可。mV/℃ 是「每 1℃ 變化幾 mV」，V/μs 是「每 1μs 變化幾 V」。大多表示 某個值隨其他條件變化多少（變化率·係數），數值越小，元件越穩定。
| 單位 | 讀法 · 意思 | 規格書例 |
|---|---|---|
| %/V | 百分比每伏特 輸入電壓每 1V 輸出變化幾 %（線性調整率） | LM317 0.01%/V |
| mV/V | 毫伏每伏特 電壓每 1V 變化幾 mV | TL431 −1.4mV/V（隨陰極電壓變化的參考電壓變化） |
| mV/℃ | 毫伏每度 溫度每 1℃ 變化幾 mV（溫度漂移） | L7805CV 輸出 −1.1mV/℃ · BC817 VBE 約 2mV/K |
| μV/℃ | 微伏每度 溫度每 1℃ 變化幾 μV — 非常小的漂移 | LM358 輸入偏移 3.5μV/℃ |
| pA/℃ | 皮安每度 溫度每 1℃ 變化幾 pA | LM358 輸入偏移電流 10pA/℃ |
| V/μs | 伏特每微秒 1μs 內輸出能變動幾 V（迴轉率） | LM358 0.5V/μs |
| nV/√Hz | 奈伏每根號赫茲 雜訊密度 — 依頻寬而定的雜訊大小 | LM358 40nV/√Hz (1kHz) |
| dB | 分貝（dB） 比率 — 能把輸入電源的波動降低多少（SVR · PSRR） | L7805CV 68dB (120Hz) |
| mVpp · μVrms | 毫伏峰對峰 · 微伏有效值（mV-PP · μV-RMS） 輸出漣波·雜訊的大小 | LM2596 輸出漣波 62mVpp（範例計算） |
| ppm/V · ppm/℃ | ppm 每伏特 · ppm 每度 電壓·溫度每變化 1 時的百萬分之幾 | STM32 內部參考電壓係數、NE555 計時溫度係數 |
| 單位 | 讀法 · 意思 | 規格書例 |
|---|---|---|
| mW/℃ · mW/K | 毫瓦每度 · 毫瓦每 K 溫度每升高 1℃，可用功率減少幾 mW（降額） | MAX485 SO8 超過 70℃ 後每度減少 5.88mW/℃（471mW）· 74AHC00 SO14 10.1mW/K |
| K/W | K每瓦（克耳文每瓦） 熱阻 — 與 ℃/W 意思相同 | 2N7002 350K/W |
| nC | 奈庫侖 — 讓 FET 導通所需的電荷（Qg） | AO3400A Qg 6nC — 越小開關越快 |
| A/μs · A/ms | 安培每微秒 · 安培每毫秒 1μs 內電流變化幾 A（di/dt） | 2N7002 二極體測試條件 dIS/dt −100A/μs |
| mJ | 毫焦耳 — 承受瞬間能量的能力（雪崩能量） | TIP120 50mJ |
| ns/V | 奈秒每伏特 輸入訊號每上升 1V 允許花費的時間（輸入上升·下降率） | 74HC00 在 VCC 4.5V 時最大 139ns/V |
| ±kV | 正負千伏 可承受的靜電（ESD）電壓 | MAX3440E 系列 ±15kV |
15. 微控制器·ADC 單位 — DMIPS · μA/MHz · Msps · LSB
| 單位 | 讀法 · 意思 | 規格書例 |
|---|---|---|
| MHz（時脈） | 兆赫（MHz） 微控制器每秒動作幾百萬次 | STM32F103 72MHz · F407 168MHz |
| DMIPS | D-MIPS 處理速度分數（以 Dhrystone 測試為準，每秒處理的指令數） | STM32F407 210DMIPS · 1.25DMIPS/MHz |
| μA/MHz | 微安每兆赫 每 1MHz 時脈的消耗電流 — 用於比較低功耗微控制器 | STM32L 等低功耗系列的 Run 模式電流 |
| bit（解析度） | 位元（十二位元） ADC 把數值分成幾階 — 12bit = 4096階 | STM32 12bit ADC |
| Msps · ksps | mega S-P-S · kilo S-P-S 每秒量測幾百萬·幾千次（取樣率） | STM32C011 ADC 2.5Msps |
| LSB | L-S-B ADC 最小的一格 — 誤差以「幾格」表示 | STM32C011 ±2LSB（12bit，以 3.3V 為準一格約 0.8mV） |
| ENOB | E-N-O-B 實際可用的有效位元數 | 即使是 12bit ADC，ENOB 也比它低 — 請以規格書的 ENOB 項目確認 |
| Mbit/s · kbit/s | 每秒百萬位元 · 每秒千位元 通訊速度（與 bps 相同） | STM32 SPI · I²C 最高速度、MAX485 2.5Mbps |
| mA/V (gm) | 毫安每伏特（g-m） 轉導 — 石英晶體振盪電路的強度 | STM32 石英晶體 Gm 最大 1.5mA/V |
| μW (Drive level) | 微瓦（驅動功率，drive level） 可施加在石英晶體上的功率 | Abracon AB26T 最大 1.0μW |
| ps (Jitter) | 皮秒（抖動，jitter） 時脈訊號抖動的時間 — 皮秒 | Abracon ASFL1 RMS 1ps |
微控制器 並不是 MHz 越高就一定越快，要以 DMIPS/MHz 比較同樣時脈下能做多少事。ADC 除了 bit 數（解析度），還要看 LSB 誤差·ENOB 才能知道實際精度。
16. 其他常見單位
| 標示 | 讀法 | 用途 |
|---|---|---|
| mAh | 毫安時（mA-h） 毫安培小時 | 電池容量 — 1000mAh 是以 1A 放電 1 小時 |
| A²s | 安培平方秒（I-square-t） I²t（保險絲熔斷能量） | 保險絲·二極體耐突波 |
| lm · mcd | 流明 · 毫燭光 | LED 亮度 |
| nm | 奈米 | LED·光電元件的光波長 — 紅色約 620nm |
| g · mg | 公克 · 毫克 | 元件重量（規格書末尾） |
| pcs · EA | pieces · E-A（個） 個 | 數量 — 捲盤 3,000pcs |
17. 代替單位的字母 — 4R7 · 2K2 · 103
| 標示 | 讀法 | 意思 | 例 |
|---|---|---|---|
| 4R7 | 四 R 七（four-R-seven） | 4.7（R 是小數點） | 電阻 4.7Ω、電感 4.7μH |
| R10 | R 一零（R-one-zero） | 0.10 | 電阻 0.1Ω（100mΩ） |
| 2K2 | 二 K 二（two-K-two） | 2.2k（K 既是小數點也是 k） | 2.2kΩ |
| 4K7 | 四 K 七（four-K-seven） | 4.7k | 4.7kΩ |
| 1M0 | 一 M 零（one meg） | 1.0M | 1MΩ |
| 103 | 一零三 | 10 + 三個 0 | 電阻 10kΩ、電容 10nF |
| 3.3V · 3V3 | 三點三伏 · 三 V 三 | 3V3 = 3.3V（V 是小數點） | 電源標示 |
電路圖和電路板印刷上，小數點可能被磨掉或看不清楚，所以 用 4K7 代替 4.7k 這樣寫。3V3 是 3.3V，1V8 是 1.8V。
18. 單位一覽表
| 量測對象 | 單位 | 常見大小 |
|---|---|---|
| 電壓 | V | mV · V · kV |
| 電流 | A | nA · μA · mA · A |
| 電阻 | Ω | mΩ · Ω · kΩ · MΩ |
| 電容量 | F | pF · nF · μF |
| 電感量 | H | nH · μH · mH |
| 頻率 | Hz | kHz · MHz · GHz |
| 功率 | W | mW · W |
| 溫度 | ℃ | ℃ · ℃/W |
| 時間 | s | ns · μs · ms |
| 比率 | % · ppm | 以 ± 值表示 |
| 長度 | mm | mm · mil · inch |
| 記憶體 | bit · Byte | Kbit · KB · Mbit · MB |
| 變化率 | ○/○ | %/V · mV/℃ · V/μs · mW/℃ |
| 微控制器·ADC | DMIPS · sps · LSB | MHz · Msps · ±LSB |
同一顆元件，各家廠商也會寫成 100nF · 0.1uF · 104 等不同寫法。在 eGuro 元件搜尋 中，用料號搜尋最準確。
推薦閱讀
· MLCC料號解讀
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=48
· SMD電阻代碼讀法
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=57
· 元件封裝名稱總整理
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=59
· 電解·鉭電容標示讀法
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=88
· 石英晶體·振盪器標示讀法
https://eguro.kr/zh-hant/board/view.html?b=library&id=90
單位與字首依循國際單位制（SI）的定義，所舉的數值則是在半導體資料庫先前文章與「今日元件」中所用的製造商規格書（ST STM32 · Nexperia/NXP 74HC·74AHC · ST L7805CV · TI LM317·LM358·LM2596·TL431 · Maxim MAX485 · Alpha & Omega AO3400A · Nexperia 2N7002·BC817 · TIP120 · Abracon 石英晶體等）中確認過的。不同規格書對同一符號的用法可能略有不同，實際元件請確認該規格書中的符號說明。
| ▲ 下一篇 | 穩壓器料號解讀 — 7805·LM317·AMS1117-3.3，LDO料號後的數字與封裝字母 |
|---|---|
| ▼ 上一篇 | 石英晶體·振盪器標示解讀 — 16.000MHz · ppm · 負載電容(CL)，ABM8·ASFL1 料號解讀 |