SemiHow——韩国功率 MOSFET 制造商,超结·沟槽·SiC

管理员 · 2026.10.26

SemiHow
由三星半导体出身的工程师于 2002 年创立的仁川功率半导体企业,在三星晶圆代工生产 MOSFET·IGBT。
韩国2002年成立ISO 9001·14001三星晶圆代工生产功率半导体
2002年
成立
110款+
600~900V 超结 MOSFET(2019年开发)
80%+
三星晶圆代工 8 英寸生产占比(自2020年起)
1.1亿个
为 Galaxy 充电器供应 700V SJ MOSFET(2015年)

一览

公司名称SemiHow Co., Ltd.
总部仁川广域市西区(青罗,2023年6月迁入)
成立年份2002年7月
生产三星晶圆代工 8 英寸产线(自2020年起占产品 80% 以上)
认证ISO 9001:2015、ISO 14001:2015、TRIAC UL 认证(E355129)
海外销售中国深圳·无锡、台湾、印度
官网https://www.semihow.com

公司简介

SemiHow 是由在三星半导体从事功率半导体设计、工艺和生产技术 10 年以上的工程师于 2002 年创立的功率半导体专业企业。总部于 2023 年迁至仁川青罗。

2004 年与中国 CR Micro(华润微电子)签订技术支持·晶圆代工合同,2005 年推出高压 MOSFET。此后陆续推出低压沟槽 MOSFET、SCR·TRIAC、IGBT、超结 MOSFET 等。

2018 年与三星晶圆代工签订战略协议,自 2020 年起 80% 以上的功率分立器件产品在三星晶圆代工 8 英寸产线生产。产品用于手机充电器、适配器、PC、电动汽车充电桩、服务器、LED 照明、家电和汽车零部件。

发展历程

2002
SemiHow 成立(7月)
2005
高压(HV)MOSFET 开发·上市
2012
TRIAC·SCR 上市,TRIAC 获 UL 认证
2018
与三星晶圆代工签订战略协议,700V 级 SJ MOSFET 开始量产
2023
与 SK keyfoundry 战略合作,总部扩建迁至仁川青罗

主要产品

超结(SJ)MOSFET 符号
超结(SJ)MOSFET
600~900V 级高压 MOSFET,用于充电器·适配器·电动汽车车载充电机(OBC)
LV 沟槽·SGT MOSFET 符号
LV 沟槽·SGT MOSFET
60~100V 级低压 MOSFET,用于汽车 LED 照明·空调(HVAC)模块
平面 MOSFET 符号
平面 MOSFET
延续至第 5 代的平面结构高压 MOSFET
IGBT·功率模块符号
IGBT·功率模块
650V·1,200V·1,400V·1,600V 级 IGBT、IGBT·MOSFET 模块、IPM
SiC MOSFET·二极管符号
SiC MOSFET·二极管
SiC MOSFET、Si/SiC 二极管、GaN FET、TRIAC·SCR、BJT

应用领域

手机充电器适配器PC 电源电动汽车充电桩服务器·网络LED 照明家电(电饭煲·电磁炉)汽车(OBC·PTC 加热器·逆变器)

eGuro 上的 SemiHow 资料

· SemiHow MOSFET 数据手册——超结·LV 沟槽·平面·SiC 548 个型号
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=114

eGuro 经销商

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资料来源:SemiHow 官网公司介绍·沿革·三星晶圆代工·应用领域·质量·销售网点(https://www.semihow.com,2026-10-26 确认)。各标志为相应公司的商标。

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