电子元件规格单位读法 — 数据手册中的μF·nF·pF、mA·μA、mΩ·kΩ、MHz·ppm、℃/W、mil汇总
图片说明：在电子元件店柜台前，顾客用手指着数据手册纸上的 Isat 字样问：“这个怎么读？”系着红围裙的女店员笑着回答：“I-sat！就是饱和电流。”
半导体·电子元件的数据手册和报价单里，像 100nF · 4.7μF · 10kΩ · 20mΩ · 16.000MHz · ±20ppm · 62.5℃/W 这样带单位的规格值随处可见。这些单位在电气·电子领域通用，但在元件规格中，常用的数量级、符号和简写方式都已约定俗成，初次见到容易混淆。
规格单位由 前面的字母（数量级） + 单位符号（测量什么） 两部分组成，只要掌握这两点，第一次见到的值也能读懂。本文汇总了此前半导体资料库“读法”系列文章和“今日元件”中出现过的所有单位，并整理了元件规格中常见却容易混淆的单位和符号。
各表中 “读法”栏的粗体字 就是 实际念出来的读法。单位按中文名称读（毫伏·微法），Isat · VRRM · RDS(on) 这类由英文字母拼成的符号，按英文字母逐个读（I-sat · V-R-R-M · R-DS-on）。“/”英文读作 per，意思是“每”。括号内是现场常用的简称。
1. 前缀字母 — p · n · μ · m · k · M · G
2. 电压 — V · mV · kV
3. 电流 — A · mA · μA · nA
4. 电阻 — Ω · mΩ · kΩ · MΩ
5. 电容 — pF · nF · μF
6. 电感 — nH · μH · mH
7. 频率 — Hz · kHz · MHz · GHz
8. 功率 — mW · W
9. 温度 — ℃ · ℃/W
10. 时间 — ns · μs · ms
11. 比率·精度 — % · ppm · dB
12. 长度·尺寸 — mm · mil · inch · 间距
13. 存储·通信 — bit · Byte · Kbit · bps
14. IC 数据手册中的“○/○”单位 — %/V · μV/℃ · V/μs · nV/√Hz
15. 单片机·ADC 单位 — DMIPS · μA/MHz · Msps · LSB
16. 其他常见单位
17. 代替单位的字母 — 4R7 · 2K2 · 103
18. 单位一览表
1. 前缀字母 — p · n · μ · m · k · M · G
| 字母 | 读法 | 倍数 | 例 |
|---|---|---|---|
| p | 皮 | 0.000000000001 (10⁻¹²) | 22pF |
| n | 纳 | 0.000000001 (10⁻⁹) | 100nF · 35ns |
| μ (u) | 微（u） | 0.000001 (10⁻⁶) | 4.7μF · 5μA |
| m | 毫 | 0.001 (10⁻³) | 200mA · 20mΩ |
| （无） | — | 1 | 5V · 1A |
| k | 千 | 1,000 (10³) | 10kΩ · 65kHz |
| M | 兆 | 1,000,000 (10⁶) | 1MΩ · 16MHz |
| G | 吉 | 1,000,000,000 (10⁹) | 2.4GHz |
μ（微） 在键盘上不好输入，所以数据手册·报价单·库存 Excel 里常写成 u。uF = μF、uA = μA、uH = μH 照此理解即可。很老的资料中也有用 mfd · mF 表示 μF 的，电容请根据数值大小判断。
最常出错的是 m（毫）和 M（兆）。小写 m 是千分之一，大写 M 是一百万倍，所以 20mΩ（0.02Ω，FET 的导通电阻）和 20MΩ（两千万Ω）相差十亿倍。读的时候一定要区分大小写。
2. 电压 — V · mV · kV
| 写法 | 读法 | 数据手册中常见的位置 |
|---|---|---|
| V | 伏（伏特） | VCC · VDD（电源）、VIN（输入）、VOUT（输出）— 例：5V 稳压器 |
| mV | 毫伏 (0.001V) | 电压差·噪声 — 例：二极管 VF 差、输出纹波 20mV |
| kV | 千伏 (1000V) | 静电（ESD）耐受 — 例：±8kV（接触放电） |
| VRRM | V-RRM 反向重复峰值电压 | 二极管 — 1N4007 为 1000V |
| VF | V-F 正向电压 | 二极管·LED 导通时的电压 — 例：0.5V（肖特基）、1.1V（普通） |
| VDS · VCEO | V-DS · V-CEO FET·晶体管耐压 | FET 为 VDS，BJT 为 VCEO — 例：2N3904 40V |
| VDC · VAC | V-DC · V-AC 直流 · 交流 | 电容·保险丝额定值 — 例：50VDC |
| Vrms · Vp-p | V-RMS · V-PP（峰峰值） 有效值 · 从峰顶到谷底 | 交流·噪声大小 — 同一信号 Vp-p 更大 |
元件的 最大电压（Absolute maximum） 是超过就会损坏的值，推荐工作电压（Recommended operating） 是实际使用的范围。电容通常选比工作电压留有充分余量的额定值（例：5V 电路用 16V·25V）。电容电压标识见“电解·钽电容标识读法”，
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=88，二极管电压见“二极管型号解读”。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=58
3. 电流 — A · mA · μA · nA
| 写法 | 读法 | 数据手册中常见的位置 |
|---|---|---|
| A | 安（安培） | 二极管·FET·稳压器能通过的电流 — 例：1A、3A |
| mA | 毫安 (0.001A) | 小元件·LED·信号 — 例：2N3904 IC 200mA、LED 20mA |
| μA | 微安 (0.000001A) | 静态电流·漏电流 — 例：稳压器静态电流 5μA |
| nA | 纳安 | 极小的漏电流·输入电流 — 运放输入电流等 |
| IF(AV) | I-F-AV（I-F average） 平均正向电流 | 二极管可持续通过的电流 — 例：SS34 3A |
| IFSM | I-FSM 浪涌电流 | 通电瞬间能承受一次的大电流 — 例：1N4007 30A |
| ID · IC | I-D · I-C FET 漏极电流 · BJT 集电极电流 | 元件能通过的最大电流 |
| IQ · ICC | I-Q · I-CC 静态（消耗）电流 | 元件自身消耗的电流 — 对电池产品很重要 |
| IR | I-R 反向漏电流 | 二极管截止时泄漏的电流 — 通常为 μA 级 |
电流额定值 会随温度降低。数据手册上的 3A 通常是 25℃ 或规定 PCB 条件下的值，在高温环境中要减小电流。详细示例请参考“FET(MOSFET)型号解读”中关于 ID 的说明。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=56
4. 电阻 — Ω · mΩ · kΩ · MΩ
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| Ω | 欧（欧姆） | 100Ω · 470Ω |
| mΩ | 毫欧 (0.001Ω) | FET 导通电阻 RDS(on) 20mΩ、电流检测电阻 10mΩ |
| kΩ | 千欧（简称 K） (1000Ω) | 10kΩ(103) · 4.7kΩ(472) |
| MΩ | 兆欧（简称 M） (1,000,000Ω) | 1MΩ(105) — 绝缘电阻可达 GΩ |
| RDS(on) | R-DS-on FET 导通电阻 | 越小发热越少 — mΩ 级 |
| ESR | E-S-R 等效串联电阻 | 电容内部的电阻 — 越小越好，mΩ~Ω |
| Ω/sq | 欧每方（方阻） 方块电阻 | 薄膜的电阻 — 偶见于 PCB·传感器资料 |
Ω 符号不好输入，也会写成 ohm · R（10K、10kohm、10KR 都是 10kΩ）。把 SMD 电阻上的数字（103 · 4R7 · 01C）换算成 Ω 的方法，见“SMD 电阻代码读法”。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=57
5. 电容 — pF · nF · μF
| pF | nF | μF | 数字代码 |
|---|---|---|---|
| 10pF | 0.01nF | 0.00001μF | 100 |
| 100pF | 0.1nF | 0.0001μF | 101 |
| 1,000pF | 1nF | 0.001μF | 102 |
| 10,000pF | 10nF | 0.01μF | 103 |
| 100,000pF | 100nF | 0.1μF | 104 |
| 1,000,000pF | 1,000nF | 1μF | 105 |
| 10,000,000pF | 10,000nF | 10μF | 106 |
同一个电容，不同公司·不同人会写成 100nF、0.1μF、0.1uF、104，搜索库存时容易漏掉。它们全是同一个值。MLCC 型号中的容量代码见“MLCC 型号解读”，
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=48，电解·钽电容上的 107·227 标识见“电解·钽电容标识读法”。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=88
电容型号末尾的 J · K · M 不是单位，而是 误差（J ±5%、K ±10%、M ±20%）。这里的 M 不是兆，不要混淆。
图片说明：柜台上的报价单写着 100nF · 0.1uF · 104 三行。顾客问：“这三个都不一样吗？”女店员伸出三根手指回答：“全都是同一个值！”旁边放着一卷电容料盘。
6. 电感 — nH · μH · mH
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| nH | 纳亨 | 高频·RF 电感 — 2.2nH · 10nH |
| μH | 微亨 | 电源（DC-DC）电感 — 4.7μH · 10μH · 22μH |
| mH | 毫亨 | 滤波·扼流圈 — 1mH |
| Isat · Irms | I-sat · I-RMS 饱和电流 · 温升额定电流 | 电感能通过的电流 — 以两者中较小的值为限 |
| DCR | D-C-R 直流电阻 | 电感线圈的电阻 — mΩ |
电感也像电阻一样使用数字代码。单位以 μH 为基准，所以 100 = 10μH、4R7 = 4.7μH、101 = 100μH（RF 用小电感也有以 nH 为基准的，请查数据手册）。
7. 频率 — Hz · kHz · MHz · GHz
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| Hz | 赫兹（每秒多少次） | 市电 50Hz · 60Hz |
| kHz | 千赫 (1000Hz) | 时钟晶振 32.768kHz、DC-DC 开关频率 150kHz |
| MHz | 兆赫（简称兆） (1,000,000Hz) | 晶振 8MHz · 16.000MHz、STM32 72MHz |
| GHz | 吉赫 | Wi-Fi·蓝牙 2.4GHz |
| MHz 后的小数位 | 十六点零零零兆赫 精确标注的值 | 16.000MHz = 16MHz — 小数点后表示精度 |
晶振的 16MHz、16.000MHz、16M 都是同一个频率。晶振的频率误差（ppm）·负载电容（CL）等内容见“晶振·振荡器标识读法”。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=90
8. 功率 — mW · W
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| W | 瓦（瓦特）（电压 × 电流） | TO-220 稳压器、电源器件 |
| mW | 毫瓦 (0.001W) | 小晶体管 PD 625mW、0603 电阻 100mW |
| PD · Ptot | P-D · P-total 最大耗散功率 | 元件靠散热能承受的功率 — 温度升高则减小 |
| 1/4W · 1/8W | 四分之一瓦 · 八分之一瓦 电阻额定功率 | 1/4W = 0.25W = 250mW |
功率 = 电压 × 电流。5V 下流过 0.1A 就是 0.5W。电阻还可以用 电流² × 电阻 计算。按额定功率满载使用会发烫，通常留一半左右的余量。
9. 温度 — ℃ · ℃/W
| 写法 | 读法 | 含义 |
|---|---|---|
| ℃ | 度（摄氏度） 摄氏 | −40~85℃（工业级）、0~70℃（商业级）、−40~125℃（车规级）等工作温度范围 |
| TA | T-A 环境温度 | 元件外部的空气温度 |
| TJ | T-J 结温 | 芯片内部的实际温度 — 通常最高 125℃·150℃ |
| TSTG | T-STG 存储温度 | 不使用、存放时能承受的温度 |
| ℃/W · K/W | 度每瓦 · K每瓦（开尔文每瓦） 热阻 | 消耗 1W 时温度升高多少 ℃ — 越小散热越好 |
| RθJA · RθJC | R-theta-JA · R-theta-JC 结到空气 · 结到外壳热阻 | 例：62.5℃/W 表示消耗 1W 时升高 62.5℃ |
| K | 开尔文 | 表示温度“差”时 1K = 1℃ 温差 |
用热阻可以大致估算温度。例如 RθJA 为 62.5℃/W 的元件消耗 0.8W 时，温升 0.8 × 62.5 = 50℃，若环境为 40℃，芯片约为 90℃。STM32 型号末尾的温度数字（6 · 7 · 3）请参考“STM32型号解读”。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=87
10. 时间 — ns · μs · ms
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| ns | 纳秒（十亿分之一秒） | 二极管反向恢复时间 trr 35ns、逻辑 IC 延迟 tpd 10ns |
| μs | 微秒（百万分之一秒） | 普通二极管 trr 2μs、复位脉冲宽度 |
| ms | 毫秒（千分之一秒） | 上电时间·浪涌测试 8.3ms |
| s | 秒 | 定时器·延时 |
| trr | T-RR 反向恢复时间 | 越快的二极管越短（FR·UF·肖特基） |
| tr · tf | T-R · T-F 上升 · 下降时间 | 信号变化的速度 |
| tpd | T-PD 传输延迟 | 从输入变化到输出变化为止 |
二极管型号中的 FR(Fast)·UF(Ultra fast) 表示这个 trr 短。可接着阅读“二极管型号解读”。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=58
11. 比率·精度 — % · ppm · dB
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| % | 百分之（百分之一） | 电阻误差 ±1%(F) · ±5%(J)，电容 ±10%(K) |
| ppm | PPM（百万分之一） | 晶振误差 ±20ppm = ±0.002%，16MHz 时为 ±320Hz |
| ppm/℃ | PPM 每度 温度系数 | 温度每变化 1℃ 时数值的变化程度 — 电阻 ±100ppm/℃ |
| dB | 分贝（dB）（以对数表示比值） | 放大·衰减 — +20dB 为电压 10 倍，−3dB 约为 70% |
| dBm | dBm（分贝毫瓦） 以 1mW 为基准的分贝 | 无线输出功率 — 0dBm = 1mW、20dBm = 100mW |
| X7R · C0G | X7R · C0G（C-零-G） 温度特性代号 | MLCC 容量随温度变化的等级 — 不是单位而是等级 |
1% = 10,000ppm 。像晶振这样非常精密的元件，用 ppm 而不是 % 表示。MLCC 的 X7R · X5R · C0G 看起来像单位，其实是温度特性等级 — 参考“MLCC型号解读”。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=48
12. 长度·尺寸 — mm · mil · inch · 间距
| 英制代码 | 公制代码 | 实际尺寸 (mm) |
|---|---|---|
| 0201 | 0603 | 0.6 × 0.3 |
| 0402 | 1005 | 1.0 × 0.5 |
| 0603 | 1608 | 1.6 × 0.8 |
| 0805 | 2012 | 2.0 × 1.25 |
| 1206 | 3216 | 3.2 × 1.6 |
| 1210 | 3225 | 3.2 × 2.5 |
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| mm | 毫米 | 封装尺寸·引脚间距 — SOT-23 2.9 × 1.3mm |
| mil | 密耳（mil）（千分之一英寸 = 0.0254mm） | PCB 线宽·旧资料 — 100mil = 2.54mm |
| inch (in, ") | 英寸 = 25.4mm | 料盘直径 7 英寸 · 13 英寸 |
| 间距（pitch） | 间距（pitch） 引脚之间的距离 | 2.54mm(DIP), 1.27mm(SOIC), 0.5mm(QFN·LQFP) |
| μm | 微米 (0.001mm) | 镀层厚度等 |
SMD 尺寸代码混用 美式（英制） 和 日韩厂商方式（公制），只看“0603”无法判断是哪一种。MLCC 型号中的尺寸字母，许多公司使用源自公制尺寸的两位代码（三星电机 CL10 · 村田 GRM18 = 公制 1608 = 英制 0603），而分销库存表多用英制代码。实际尺寸可在“元件封装名称汇总”中通过图片比较。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=59
13. 存储·通信 — bit · Byte · Kbit · bps
| 写法 | 读法 | 例 |
|---|---|---|
| bit (b) | 比特（位） — 一个 0 或 1 | 存储器 IC 大多用 bit 表示 |
| Byte (B) | 字节 = 8bit | 单片机闪存·RAM 用 Byte 表示 |
| Kbit · Kb | 千比特（K bit） (1024bit) | EEPROM 24C02 = 2Kbit = 256Byte |
| KB | 千字节（K byte） (1024Byte) | STM32F103C8 闪存 64KB |
| Mbit · MB | 兆比特 · 兆字节 | SPI 闪存 W25Q64 = 64Mbit = 8MB |
| bps · Mbps | bps · Mbps（比特每秒） 每秒传输的比特数 | UART 115200bps, CAN 1Mbps, USB 12Mbps |
| baud | 波特 波特（每秒信号变化次数） | 在 UART 中与 bps 同义使用 |
小写 b 是比特，大写 B 是字节。存储器 IC 型号中的数字大多是 比特，所以 64Mbit 芯片是 8MB。单片机闪存用字节表示 — 参考“STM32型号解读”中的闪存字母表。
https://eguro.kr/zh-hans/board/view.html?b=library&id=87
14. IC 数据手册中的“○/○”单位 — %/V · μV/℃ · V/μs · nV/√Hz
IC 数据手册里有很多用 /（斜杠） 连接两个单位的单位。/ 读作“每” 即可。mV/℃ 是“每 1℃ 变化多少 mV”，V/μs 是“每 1μs 变化多少 V”。大多表示 某个值随另一条件变化多少（变化率·系数），数值越小元件越稳定。
| 单位 | 读法 · 含义 | 数据手册示例 |
|---|---|---|
| %/V | 百分之每伏 输入电压每变化 1V，输出变化百分之几（线性调整率） | LM317 0.01%/V |
| mV/V | 毫伏每伏 电压每 1V 变化多少 mV | TL431 −1.4mV/V（基准电压随阴极电压的变化） |
| mV/℃ | 毫伏每度 温度每 1℃ 变化多少 mV（温漂） | L7805CV 输出 −1.1mV/℃ · BC817 VBE 约 2mV/K |
| μV/℃ | 微伏每度 温度每 1℃ 变化多少 μV — 非常小的温漂 | LM358 输入失调 3.5μV/℃ |
| pA/℃ | 皮安每度 温度每 1℃ 变化多少 pA | LM358 输入失调电流 10pA/℃ |
| V/μs | 伏每微秒 1μs 内输出能变化多少 V（压摆率） | LM358 0.5V/μs |
| nV/√Hz | 纳伏每根号赫兹 噪声密度 — 按频率带宽计的噪声大小 | LM358 40nV/√Hz (1kHz) |
| dB | 分贝（dB） 比值 — 对输入电源波动的抑制程度（SVR · PSRR） | L7805CV 68dB (120Hz) |
| mVpp · μVrms | 毫伏峰峰值 · 微伏有效值 输出纹波·噪声的大小 | LM2596 输出纹波 62mVpp（示例计算） |
| ppm/V · ppm/℃ | PPM 每伏 · PPM 每度 电压·温度每变化 1 时的百万分之几 | STM32 内部基准电压系数、NE555 定时温度系数 |
| 单位 | 读法 · 含义 | 数据手册示例 |
|---|---|---|
| mW/℃ · mW/K | 毫瓦每度 · 毫瓦每K 温度每升高 1℃，可用功率减少多少 mW（降额） | MAX485 SO8 超过 70℃ 后每 ℃ 减少 5.88mW（471mW）· 74AHC00 SO14 10.1mW/K |
| K/W | K每瓦（开尔文每瓦） 热阻 — 与 ℃/W 意思相同 | 2N7002 350K/W |
| nC | 纳库（纳库仑） — 开启 FET 所需的电荷（Qg） | AO3400A Qg 6nC — 越小开关越快 |
| A/μs · A/ms | 安每微秒 · 安每毫秒 1μs 内电流变化多少 A（di/dt） | 2N7002 二极管测试条件 dIS/dt −100A/μs |
| mJ | 毫焦（毫焦耳） — 承受瞬间能量的能力（雪崩能量） | TIP120 50mJ |
| ns/V | 纳秒每伏 输入信号每上升 1V 允许花费的时间（输入上升·下降速率） | 74HC00 VCC 4.5V 时最大 139ns/V |
| ±kV | 正负千伏 可承受的静电（ESD）电压 | MAX3440E 系列 ±15kV |
15. 单片机·ADC 单位 — DMIPS · μA/MHz · Msps · LSB
| 单位 | 读法 · 含义 | 数据手册示例 |
|---|---|---|
| MHz（时钟） | 兆赫 单片机每秒运行多少百万次 | STM32F103 72MHz · F407 168MHz |
| DMIPS | D-MIPS 处理速度分数（基于 Dhrystone 测试，每秒处理的指令数） | STM32F407 210DMIPS · 1.25DMIPS/MHz |
| μA/MHz | 微安每兆赫 每 1MHz 时钟的消耗电流 — 用于比较低功耗单片机 | STM32L 等低功耗系列 Run 模式电流 |
| bit（分辨率） | 位（12位） ADC 将值分成多少级 — 12bit = 4096级 | STM32 12bit ADC |
| Msps · ksps | Msps · ksps（兆次采样每秒 · 千次采样每秒） 每秒测量多少百万·多少千次（采样率） | STM32C011 ADC 2.5Msps |
| LSB | L-S-B ADC 最小的一格 — 误差以“几格”表示 | STM32C011 ±2LSB（12bit，以 3.3V 计一格约 0.8mV） |
| ENOB | ENOB（E-N-O-B） 实际可用的有效位数 | 即使是 12bit ADC，ENOB 也会更低 — 请查看数据手册 ENOB 项 |
| Mbit/s · kbit/s | 兆比特每秒 · 千比特每秒 通信速率（与 bps 相同） | STM32 SPI · I²C 最大速率、MAX485 2.5Mbps |
| mA/V (gm) | 毫安每伏（gm） 跨导 — 晶振振荡电路的驱动强度 | STM32 晶振 Gm 最大 1.5mA/V |
| μW (Drive level) | 微瓦（激励功率） 晶振上允许施加的功率 | Abracon AB26T 最大 1.0μW |
| ps (Jitter) | 皮秒（抖动） 时钟信号抖动的时间 — 皮秒 | Abracon ASFL1 RMS 1ps |
单片机 并不是 MHz 越高就一定越快，要用 DMIPS/MHz 比较同一时钟下能做多少工作。ADC 要同时看 bit 数（分辨率）和 LSB 误差·ENOB，才能了解实际精度。
16. 其他常见单位
| 写法 | 读法 | 用途 |
|---|---|---|
| mAh | 毫安时 毫安时 | 电池容量 — 1000mAh 即以 1A 放电 1 小时 |
| A²s | 安培平方秒（I平方t） I²t（熔断器熔断能量） | 保险丝·二极管浪涌耐受 |
| lm · mcd | 流明 · 毫坎德拉 | LED 亮度 |
| nm | 纳米 | LED·光电器件的光波长 — 红色约 620nm |
| g · mg | 克 · 毫克 | 元件重量（数据手册末尾） |
| pcs · EA | pcs · ea（个） 个 | 数量 — 料盘 3,000pcs |
17. 代替单位的字母 — 4R7 · 2K2 · 103
| 写法 | 读法 | 含义 | 例 |
|---|---|---|---|
| 4R7 | 四R七（4.7） | 4.7（R 是小数点） | 电阻 4.7Ω、电感 4.7μH |
| R10 | R一零（0.1） | 0.10 | 电阻 0.1Ω（100mΩ） |
| 2K2 | 二K二（2.2千） | 2.2k（K 既是小数点也是 k） | 2.2kΩ |
| 4K7 | 四K七（4.7千欧） | 4.7k | 4.7kΩ |
| 1M0 | 一M零（1兆欧） | 1.0M | 1MΩ |
| 103 | 一零三 | 10 + 三个 0 | 电阻 10kΩ、电容 10nF |
| 3.3V · 3V3 | 三点三伏 · 三V三 | 3V3 = 3.3V（V 是小数点） | 电源标识 |
在电路图和 PCB 丝印上，小数点可能被擦掉或看不清，所以写成 4K7 代替 4.7k。3V3 是 3.3V，1V8 是 1.8V。
18. 单位一览表
| 测量对象 | 单位 | 常见数量级 |
|---|---|---|
| 电压 | V | mV · V · kV |
| 电流 | A | nA · μA · mA · A |
| 电阻 | Ω | mΩ · Ω · kΩ · MΩ |
| 电容 | F | pF · nF · μF |
| 电感 | H | nH · μH · mH |
| 频率 | Hz | kHz · MHz · GHz |
| 功率 | W | mW · W |
| 温度 | ℃ | ℃ · ℃/W |
| 时间 | s | ns · μs · ms |
| 比率 | % · ppm | 以 ± 值表示 |
| 长度 | mm | mm · mil · inch |
| 存储 | bit · Byte | Kbit · KB · Mbit · MB |
| 变化率 | ○/○ | %/V · mV/℃ · V/μs · mW/℃ |
| 单片机·ADC | DMIPS · sps · LSB | MHz · Msps · ±LSB |
同一个元件，不同商家也会写成 100nF · 0.1uF · 104 等。在 eGuro 元件搜索 中用型号搜索最准确。
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单位和前缀依据国际单位制（SI）定义，示例值取自半导体资料库前几篇文章及“今日元件”中使用的制造商数据手册（ST STM32 · Nexperia/NXP 74HC·74AHC · ST L7805CV · TI LM317·LM358·LM2596·TL431 · Maxim MAX485 · Alpha & Omega AO3400A · Nexperia 2N7002·BC817 · TIP120 · Abracon 晶振等）。不同数据手册对同一符号的用法可能略有差异，具体元件请查看相应数据手册的符号说明。
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