今日元件 · 2026-10-23
可由逻辑电平驱动的SMD小信号N沟道MOSFET。常见于3.3V ↔ 5V电平转换模块或小负载开关,芯片上印有SS。
实际尺寸
↓ 左端对齐尺子0刻度的实际尺寸
尺子每格 = 1mm。电脑以24英寸FHD·缩放100%为准,iPhone会自动调整为实际尺寸。其他屏幕可用下方的“校准尺子”调整。
放大(SOT-23 · 俯视图 · 约20倍)
引脚 1 栅极 · 2 源极 · 3 漏极
封装 SOT-23 · 丝印 SS
| 类型 | N沟道逻辑电平增强型MOSFET |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源电压 VDSS | 50V |
| 栅源电压 VGSS | ±20V |
| 漏极电流 ID | 0.22A (瞬时最大0.88A) |
| 耗散功率 PD | 0.36W |
| 导通电阻 RDS(on) | 最大3.5Ω (VGS 10V) / 最大6.0Ω (VGS 4.5V) |
| 阈值电压 VGS(th) | 0.8 ~ 1.5V (ID 1mA) |
数值依据onsemi数据手册。
丝印代码 SS · 引脚 1 栅极 · 2 源极 · 3 漏极
丝印代码SS以onsemi为准。其他厂商的BSS138丝印代码可能不同,请查阅该厂商数据手册的Marking表。
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