今日元件 · 2026-10-31
常用于开关电源(+)侧的小型P沟道MOSFET。SOT-23封装可通过-3.7A电流,栅极只拉到-2.5V时也规定了导通电阻,因此常见于电池供电设备的电源开关。芯片上五个字符中的第一个字符E代表此型号。
实际尺寸
↓ 左端对齐尺子0刻度的实际尺寸
尺子每格 = 1mm。电脑以24英寸FHD·缩放100%为准,iPhone会自动调整为实际尺寸。其他屏幕可用下方的“校准尺子”调整。
放大(SOT-23 · 俯视图 · 约20倍)
引脚 1 栅极(G) · 2 源极(S) · 3 漏极(D) — 只有一个引脚的一侧是漏极
封装 SOT-23 · 丝印 E
| 类型 | P沟道MOSFET (HEXFET) |
| 封装 | Micro3 (SOT-23) |
| 漏源电压 VDS | -20V |
| 栅源电压 VGS | ±12V |
| 漏极电流 ID | -3.7A (25℃) · -2.2A (70℃) · 脉冲-22A (VGS -4.5V) |
| 导通电阻 RDS(on) | ≤65mΩ (VGS -4.5V,典型50mΩ) · ≤135mΩ (VGS -2.5V,典型80mΩ) |
| 栅极阈值电压 VGS(th) | -0.40 ~ -1.2V (典型-0.55V) |
| 输入电容 Ciss | 633pF (典型) |
| 栅极电荷 Qg | 典型8.0nC,最大12nC (VGS -5.0V) |
| 耗散功率 PD | 1.3W (25℃) · 0.8W (70℃) |
| 厚度 | 小于1.1mm (图纸最大1.12mm) |
| 工作温度 | -55 ~ 150℃ |
数值依据Infineon(原 International Rectifier)数据手册。
丝印代码 E · 引脚 1 栅极(G) · 2 源极(S) · 3 漏极(D) — 只有一个引脚的一侧是漏极
芯片上印有XYWLC五个字符。X(第一个字符)为型号代码,IRLML6402为E;Y为年份,W为周,L为生产批号,C表示铜线·无卤(数据手册第7页)。由于是P沟道,表中的电压、电流均以负值表示。即使同为SOT-23,不同厂家的引脚顺序也可能不同,替换时务必确认数据手册的引脚图。
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