今日元件 · IRLML6402 — SOT-23 -20V P沟道MOSFET(丝印 E)

管理员 · 2026.10.31

今日元件 · 2026-10-31

常用于开关电源(+)侧的小型P沟道MOSFET。SOT-23封装可通过-3.7A电流,栅极只拉到-2.5V时也规定了导通电阻,因此常见于电池供电设备的电源开关。芯片上五个字符中的第一个字符E代表此型号。

实际尺寸

↓ 左端对齐尺子0刻度的实际尺寸

IRLML6402 实际尺寸与尺子 (1:1)

尺子每格 = 1mm。电脑以24英寸FHD·缩放100%为准,iPhone会自动调整为实际尺寸。其他屏幕可用下方的“校准尺子”调整。

放大(SOT-23 · 俯视图 · 约20倍)

IRLML6402放大图与引脚编号

引脚 1 栅极(G) · 2 源极(S) · 3 漏极(D) — 只有一个引脚的一侧是漏极

封装 SOT-23 · 丝印 E

主要规格

类型P沟道MOSFET (HEXFET)
封装Micro3 (SOT-23)
漏源电压 VDS-20V
栅源电压 VGS±12V
漏极电流 ID-3.7A (25℃) · -2.2A (70℃) · 脉冲-22A (VGS -4.5V)
导通电阻 RDS(on)≤65mΩ (VGS -4.5V,典型50mΩ) · ≤135mΩ (VGS -2.5V,典型80mΩ)
栅极阈值电压 VGS(th)-0.40 ~ -1.2V (典型-0.55V)
输入电容 Ciss633pF (典型)
栅极电荷 Qg典型8.0nC,最大12nC (VGS -5.0V)
耗散功率 PD1.3W (25℃) · 0.8W (70℃)
厚度小于1.1mm (图纸最大1.12mm)
工作温度-55 ~ 150℃

数值依据Infineon(原 International Rectifier)数据手册。

丝印与引脚

丝印代码 E · 引脚 1 栅极(G) · 2 源极(S) · 3 漏极(D) — 只有一个引脚的一侧是漏极

典型用途

  • 电池供电设备的电源开关、负载开关 — 源极接电源(+),栅极拉向GND即导通
  • 在3.3V、5V电路中单独开关传感器或模块电源的高边开关 (VGS -2.5V时导通电阻也≤135mΩ)

配套型号 · 相似型号

  • IRLML2502 — 同一Micro3(SOT-23)系列的N沟道配对型号 — 极性相反,不能替代 (丝印代码G)
  • AO3400A — “今日元件”中介绍过的SOT-23 N沟道MOSFET — 用于GND侧开关

芯片上印有XYWLC五个字符。X(第一个字符)为型号代码,IRLML6402为E;Y为年份,W为周,L为生产批号,C表示铜线·无卤(数据手册第7页)。由于是P沟道,表中的电压、电流均以负值表示。即使同为SOT-23,不同厂家的引脚顺序也可能不同,替换时务必确认数据手册的引脚图。

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数据手册(Infineon(原 International Rectifier)原版)
https://www.infineon.com/content/dam/infineon/row/public/documents/24/49/infineon-irlml6402-datasheet-en.pdf

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